浙江大学大型仪器共享服务平台

仪器图片暂无

仪器图片暂无

仪器图片暂无

仪器图片暂无

仪器图片暂无

仪器图片暂无

仪器图片暂无

仪器图片暂无

仪器图片暂无

微波信号源:

本设备可提供纯净的模拟、数字调制信号和编辑灵活的任意波调制信号，并且具备矢量信号的发生功能。微波信号发生器是调制器线性度测试的必须设备，产生和信号输入。另外项目测试的SFDR等指标需要低噪声、高频的双音信号，利用微波矢量信号发生器能有效简化多音信号发生链路，相比于复杂链路能够避免引入更多噪声干扰。项目测试需要稳定的测试环境，并长时间占用设备，校内目前能满足测试需求的设备数量较少，且都不方便长时间租借与搬运，因此有必要单独购买一台微波信号源用于项目测试。该设备除能满足项目测试验收需求外，还能为电子、光电、通信等相关学科提供实验支撑。设备的购置将有利于从事上述方面研究的教师、学生顺利开展研究工作。

高速60G码型发生系统:

产生的高速数字信号可用于测量通信系统的误码率。

深反应刻蚀机:

该系统使用了F基的刻蚀气体，具有Bosch工艺，适合于对硅材料进行大深宽比刻蚀。

原子层沉积系统:

原子层沉积系统（ALD）系统是专为研发沉积先进薄膜而设计，可升级成等离子增强原子层沉积系统（PEALD）。该系统可在各种衬底上沉积不同种类的薄膜。因为AL D是单原子层层层生长薄膜，所以相较于其他的薄膜沉积方法，ALD 可制备非常纯的薄膜材料，并且能够精确控制薄膜的厚度和组分。同时沉积的薄膜与衬底具有非常陡直的界面和很好的保形性。

微纳光电子探针台:

船载大功率垂直发射阵:

主要用于深海海域信号发射。

高精度半导体参数测试仪:

半自动探针台:

分子束外延设备:

分子束外延是在超高真空条件下生长高纯薄膜晶体的一种顶尖的薄膜生长手段，相比其他生长方法具有较高的优越性，比如可以生长纳米级的量子点、纳米线，可以在原子层量级精确控制薄膜厚度和掺杂度、通过衬底的晶格来调控薄膜的轨道基本态和生长超晶格结构，可以实现通过人为生长进行能带工程的剪裁等。

带光学窗口和磁场的低温恒温器:

attoDRY1000主要用于对实验震动要求高，需要进行变温和变磁场的环境中，它的工作温度可以从4K - 300K之间，兼容9T磁场。

电子束直写设备:

电子束直写设备采用电子束作为光源，电子束束斑尺寸只有几个纳米（最小甚至可以达到1.6nm），而且工作台的移动精度高达1nm，能够在抗蚀剂上写出纳米级的图形，利用最高级的电子束直写设备和特殊显影工艺，能够写出10 nm以下的精细结构，完美实现大面积高精度纳米器件的开发制作。

矢量网络分析仪:

网络分析仪8720ET用于测试无源、有源微波器件及产品的传输，阻抗，驻波等指标。

匀胶热板一体机1(19008323):

光刻胶旋涂及烘烤。适用于半导体制造，微纳米加工，传感器，MEMS，化合物，生物医疗等一切需要光刻工艺的领域。

RCA清洗台2 (20007461):

RCA腐蚀台主要是通过RCA腐蚀药液与晶圆片表面自然氧化层的反应，并同生成物扩散脱离，首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。

信号频谱仪:

频率分析、相位噪声测量

高灵敏度高分辨率光谱测量仪:

1、微纳器件的反射、透射测量； 2、目前除了测量微纳器件的反射和透射外，还可以提供测量材料的光学参数提取。

矢量网络分析仪扩展模块:

扩展微波矢量网络分析仪的双端口S参数测量能力提高至140GHz频率范围

精密自动划片机:

1）可实现对6寸晶圆的划片切割，设备对准精度高，切割跑道尺寸小； 2）配备高集成度辅助控制软件，对准、切割等操作能自动控制，操作简便； 3）配备非接触测高、刀破检测等辅助功能，避免损伤芯片；

数字串行分析采样示波器:

1、可以实现超低系统抖动的电信号测试。2、可支持8个通道同时采集数据。3、准确的分析功能，包括：为NRZ、RZ和脉冲信号类型提供完整的自动测试功能；对采集的波形进行统计分析。采样率最高 300 kS/s。

矢量网络分析仪:

矢量网络分析仪ZVA67最多可支持4个信号源，可以精准地测量高频信号。可以对高性能、多功能型有源或无源组件和模块进行高精度测量。

正置双层光路金相显微镜:

椭圆偏振光谱仪:

测量膜厚、折射率、消光系数、表征微结构信息。

激光显微镜:

观察图像，测量维纳尺寸。

4通道无线信道模拟器（网络拓扑模拟器）:

信道模拟器（信道仿真仪）能够从很大程度上解决以上的测试和仿真薄弱环节，使得我们能够在实验室环境中对被测无线通信网络，特别是复杂的多种无线通信网络间通信，进行带有信道影响及不同路由拓扑结构的实物仿真，从而提高测试效率，降低测试成本，量化测试标准，为最终的外场测试提供全面的测试保障。 KSW-WNS02B信道模拟器（信道仿真仪）作为无线信道环境的仿真设备，实现了射频信道互连互通和动态无线信道的仿真。根据测试需求的不同，KSW-WNS02B信道模拟器（信道仿真仪）应具备如下功能： 1）多路多点对多点射频通道的连接。 2）无线信道仿真：多径、时延、多普勒频移、衰落信道、动态时延、噪声干扰等仿真。 3）无线通信信噪比仿真。 KSW-WNS02B信道模拟器（信道仿真仪）的应用领域包括大规模多输入多输出(Massive MIMO) 仿真测试、终端MIMO OTA测试、下一代无线通信信道仿真、无线组网仿真测试、波束赋形等应用。

MEMS键合加工系统:

MEMS键合加工系统是弱磁检测传感器研制必要设备。该设备可实现腔室内的气体压力空控制，温度控制，键合压力控制，高压控制等自动化功能，可实现产品在纯氛围气体下实现双层阳极键合。该设备是开展MEMS磁传感器研究与测试的核心设备，对该设备的采购有助于学校电子信息领域教学和研究水平的提高，促进学科建设。

低压化学气相沉积设备:

用于沉积高品质多晶硅；用于沉积高品质的低应力氮化硅或氮氧化硅

原子力显微镜:

表面观察、尺寸测定、表面粗糙测定等

有机腐蚀台3（19007035）:

有机腐蚀

步进式激光直写曝光系统:

该设备可用于：1.光刻掩模版制备；2.微纳图形直写。传统激光刻蚀过程中，需要先利用特定图形的掩模版对光刻胶曝光。但是在产品研发阶段，样品图案需要经常修改，而掩模版制作较耗时，不能满足研究者缩短研发周期的需求。激光直写系统则专门为研究机构提供了这样一个快捷灵活的解决方案。它可以在不需要掩模版的情况下，直接对光刻胶书写图案，从而使得激光刻蚀过程更加快捷方便，在研发初期可以大大缩短实验周期，节省时间。该设备采用激光作为光源，透过高精度的光学透镜组，最小直写精度可以达到0.6um，而且工作台平台定位激光干涉仪分辨率10 nm，能够精准的提高光刻图形的提高光刻图形的质量，实现大面积高精度无掩膜直写曝光。

单光子探测器:

用于探测单个光子，从而进行光量子科学研究。

电磁兼容接收机（频谱仪）:

频谱仪n9020A是一种测试测量设备，主要用于射频和微波信号的频域分析，包括测量信号的功率，频率等。

反应等离子刻蚀系统:

可同步实现RIE/ICP刻蚀，配有EQP重点检测系统.

倒扣焊键合机:

适用于各种类型的芯片键合以及高精度倒装芯片键合应用。设备能力完全达到了芯片和晶圆级封装要求。包括 2.5D 和 3D 封装，红外焦平面阵列（例：图像传感器），MEMS/MOEMS，TSV 组装等

SFU数字电视测试系统:

产生美国标准和日本标准的数字广播电视信号，并提供高斯白噪声和多径衰落仿真等，用于测试接收设备的接收频率范围、灵敏度、载噪比门限、抗多径干扰等指标。

石英管清洗机:

石英炉管清洗台主要是通过酸浸泡、DI吹水浸泡冲洗及氮气吹干等功能，去除扩散工艺炉管内反应内壁附着膜层污染物，并迫使污染层自动脱离，从而达到清洁石英炉管内壁的功能作用。

烘胶台:

烘胶

RCA清洗台3 (20007461):

RCA腐蚀台主要是通过RCA腐蚀药液与晶圆片表面自然氧化层的反应，并同生成物扩散脱离，首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。

有机腐蚀台1（19007035）:

有机腐蚀

超高速示波器:

可以实现高采样率、高保真和低噪声的信号测试，捕获更多信号细节。工具套件的设计能自动执行高速串行数据信号的设置、采集和分析，加快设计调试和一致性测试。

高性能微波毫米雷达组件系统:

T\R组件：定向耦合器、混频器、低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、放大器、射频开关（1/2）。

传输线脉冲器测试系统:

测试TLPIV曲线

船载拖曳水平接收阵:

可用于海洋学科相关领域，作为水下目标探测、海洋参数反演、海洋层析、海底地形地貌成像等应用的接收阵。

太赫兹混频接收机:

实现在太赫兹波段的高速通信信号的无线接收。

反应离子干法刻蚀机:

主要应用于Al金属薄膜材料的刻蚀，具有刻蚀速率高、各向异性好等优点。

场发射扫描电子显微镜:

可对铁磁性和易磁性材料进行2mm内短距离下，进行底片倍率高于200，000倍的高分辨成像；配有能谱分析仪，可对样品进行元素定性分析。

MIMO信道模拟器:

能够建立复杂信号的基带生成和衰落模型模型，仿真真实条件，对MIMO接收机进行测试，以及在开发阶段验证设计的可靠性。

多通道同步发射机:

通过该设备可以扩展现有的信号收发系统平台，实现12个通道同步发射高带宽射频信号，用于进行6G物理层算法开发及演示。软件对用户开放，可根据研究需求变化调整，设计可以反复迭代和优化来满足特定目标或目的

ALD原子层沉积系统:

主要功能：用于沉积单原子层超薄膜的气相沉积设备。通过精确控制媒质的流量以及使用清除媒质，保证了一次只沉积一层指定要求的单原子层超薄膜。

有机腐蚀台2（19007035）:

有机腐蚀

高速数字码型信号发生器:

一是半导体异质结材料器件测试研究，对现有有源无源半导体硅材料等器件观察测试其极限性能，研究其在现有通信系统的极限性能。二是通过器件测试，改进发展半导体器件设计及工艺，提高器件的功率、延长器件的寿命。

自动划片机:

1、制作MEMS传感器芯片需要用到硅晶圆，由于该材料具有高硬度，并且尺寸比较小，一般的设备无法满足我们对晶圆的切割，因此需要使用划片机来划取目标晶圆。2、目前划片机国内的生产商的设备加工精度和技术不够成熟，不符合我们对生产的要求。外国的设备，由于市场占有率高，并且业界对此类设备的评价也好高，这样可以提高设备的稳定性，提高切割的精度和效率。

网络矢量分析仪:

矢网分析和微波测量

RTP快速退火炉:

可实现应力释放、合金化、注入激活等多种功能。

BOE腐蚀台3(20007462):

BOE腐蚀台

12寸半自动探针台:

可实现-60℃~300℃高低温环境测试，载物台移动范围广、精度高探针台屏蔽性好，可实现遮光、EMI屏蔽，支持低漏电测试。EMI屏蔽＞30dB(typical)@1kHz到1MHz；光衰减≥130dB；光谱噪声基底≤-180dBVrms/rtHz(≤1MHz)；系统交流噪声≤5mVp-p(≤1GHz)。

激光器系统:

测试系统提供了包括中心波长，带宽，功率，耦合，谱形，色散和衰减等特性的控制，用于研究开发和产品测试应用。这个系列测试系统十分关键，其具有广泛的应用，包括光通信，光子集成，材料处理和光传感器等。

感应耦合等离子干法刻蚀系统:

主要应用于半导体材料、Si、SiO2、SiNx、光刻胶等薄膜的干法刻蚀，具有刻蚀速率高、各向异性好等优点。

可编程光信息处理系统:

可编程光信息处理系统包含信号放大、信号调制和精细可编程光滤波功能，用于研究开发和产品测试应用。

BOE腐蚀台1(20007462):

BOE腐蚀台

网络分析仪:

微波/毫米波元器件、电路、模块的S参数测试。

RCA清洗台1 (20007461):

RCA腐蚀台主要是通过RCA腐蚀药液与晶圆片表面自然氧化层的反应，并同生成物扩散脱离，首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。

电子束蒸发仪:

可沉积各种金属材料包括难熔金属、介质材料的高纯度、高质量薄膜样品。注：真空度不高，适合氧化物。

等离子清洗机:

表面清洗去污，改善材料本身表面性能，如提高表面的润湿性能、改善膜的黏着力等。可用于：有机膜去除，表面改性，表面清洗，表面刻蚀，金属氧化物去除

波长可调飞秒激光振荡器:

原子层沉积系统:

原子层沉积系统（ALD）系统是专为研发沉积先进薄膜而设计，可升级成等离子增强原子层沉积系统（PEALD）。该系统可在各种衬底上沉积不同种类的薄膜。因为AL D是单原子层层层生长薄膜，所以相较于其他的薄膜沉积方法，ALD 可制备非常纯的薄膜材料，并且能够精确控制薄膜的厚度和组分。同时沉积的薄膜与衬底具有非常陡直的界面和很好的保形性。

矢量网络分析仪:

50M-40GHz的传输/反射或S参数测试、S11、S21、S22、S12

扫描俄歇纳米探针:

主要应用于固体材料的成份，特别是微纳区域的表面与结构分析（线扫描，面扫描，深度剖析，成像）。PHI710扫描俄歇纳米探针具有肖特基式热场发射电子枪，工作电压范围0.1~25 kV，二次电子图像空间分辨率4 nm（@25 kV, 1 nA），俄歇电子成像空间分辨率8 nm（@20 kV, 1 nA），探测器为同轴式电子能量分析器，电子能量侦测范围30~2400eV，俄歇灵敏度（CuLMM）大于700 kcps（@10 kV, 10 nA），能量分辨率0.5%~0.1%连续可调。仪器配有离子溅射系统，可用于表面清洁、深度剖析及荷电中和。仪器还配有EBSD背散射衍射探测器系统，能够进行样品微区的晶体结构及成分分析。

高性能频谱仪:

<ul class=" list-paddingleft-2" style="list-style-type: disc;"><li>灵活的数字调制分析</li><li>噪声系数</li><li>相位噪声</li><li>脉冲</li><li>激励响应</li><li>MATLAB</li><li>1 GHz 时的最大三阶动态范围：116 dB</li></ul>

碳化硅氧化炉:

采用高温氧化炉对碳化硅表面进行氧化，再腐蚀氧化层，去除基片表面损伤层。在碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT器件中，采用高温氧化工艺，生成高质量低界面态密度的栅氧化层，改善SiO2/SiC界面，获得低界面陷阱密度、高MOS沟道迁移率，是研制SiC MOSFET的必不可少的工艺。

SFU测试系统:

产生DVB欧标数字广播电视信号，并提供高斯白噪声和多径衰落仿真等，用于测试接收设备的接收频率范围、灵敏度、载噪比门限、抗多径干扰等指标。

微波矢量信号发生器:

矢量信号发生器基本应用是在通信测试领域作为简单的数字调制信号发生设备进行整机测试以及整部件级的测试。频率范围：250KHz-20GHz

全自动宽谱可调超快激光器系统:

半导体光电器件，如激光器、光学开关、太赫兹信号发生等器件的高速光信号测量与性能表征。

模拟信号发生器:

模拟信号发生器E8257D是一种能提供各种频率(250kHz-67GHz)、波形和输出电平电信号的设备。在测量各种电信系统或电信设备的振幅特性、频率特性、传输特性及其它电参数时，以及测量元器件的特性与参数时，用作测试的信号源或激励源。

红外显微成像系统:

主要用于新材料的热响应分析，小尺度温度分布精密测量。硬件方面国内光学分辨率一般只能做到50um，该设备可以做到5um。国内设备对发射率一般只能进行区域手动设定，该设备可进行像素级的发射率自动校准。

显微镜:

形貌观察，测量

传感器加工气体腔室:

可实现实验室普通环境下的百级净化，特定气体混合等氛围控制能力等。可实现在大腔室内形成无水无氧，并控制特定气体的自动流量配置功能，满足各种无尘、特定气体氛围的操作控制氛围以及实验物品的传输。

矢量信号发生器:

矢量信号发生器具有模拟和数字调制多用途且宽带生成的数字调制信号，可达18Mbits/s 可生成TDMA, CDMA, WCDMA, cdma2000等标准信号宽带I/Q调制器，具有出色的矢量精度可选的BER测量频率范围：0.3~6.4GHz

BOE腐蚀台2(20007462):

BOE腐蚀台

智能感知与通信平台-毫米波MIMO扩展设备:

将现有的毫米波收发系统平台SISO系统扩展成MIMO系统，为用户提供灵活的硬件平台与应用软件来执行实时无线毫米波MIMO通信研究，可以反复迭代和优化来满足特定目标或目的。

晶片测试探针台系统:

芯片测试

分析仪器*热电偶19017349:

可实现应力释放、合金化、注入激活等多种功能

超高分辨光谱仪:

测试材料可见近红外光谱精细信息，近红外光致发光、荧光拉曼等信号

误码仪:

高速数字光通信测试系统用于测试光电器件以及光通信系统在高速数字信号驱动下的响应行为，分析光信号质量,测试功能包括误码率、眼图、信号上升下降沿、抖动、消光比等等。

探针台:

可用于晶圆级DC和RF特性测试，可安装探针和探针卡。

光刻机:

双面光刻对准（最小线宽1μm）

毫米波中频原型系统:

毫米波收发器系统是一个SDR平台，适用于构建毫米波应用，包含系统原型验证。该系统为用户提供了灵活的硬件平台与应用软件来执行实时无线毫米波通信研究。

磁控溅射系统:

磁控溅射薄膜沉积系统具备高速、低温、低损伤等优势，主要用于生长高质量的金属和非金属薄膜材料，是薄膜生长和制备必备的仪器，在现代科研中应用广泛。

探针轮廓仪:

主要用于膜厚测量，应力分析，表面形貌分析

相关网站

友情链接

浙江大学实验室与设备管理处